AM29DL164DT70VRF - AMD
- 型号：
- AM29DL164DT70VRF
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- AMD [ AMD ]
- 应用标签：
- 闪存
- 文档大小：
- 57页 / 1258K
- 产品描述：
- 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Transferred
- 零件包装代码
- BGA
- 包装说明
- TFBGA, BGA48,6X8,32
- 针数
- 48
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 5.23
- 最长访问时间
- 70 ns
- 其他特性
- 20 YEAR DATA RETENTION
- 备用内存宽度
- 8
- 启动块
- TOP
- 命令用户界面
- YES
- 通用闪存接口
- YES
- 数据轮询
- YES
- 数据保留时间-最小值
- 20
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B48
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 9 mm
- 内存密度
- 16777216 bit
- 内存集成电路类型
- FLASH
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 部门数/规模
- 8,31
- 端子数量
- 48
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -40 °C
- 组织
- 1MX16
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装等效代码
- BGA48,6X8,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 电源
- 3/3.3 V
- 编程电压
- 3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 就绪/忙碌
- YES
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 部门规模
- 8K,64K
- 最大待机电流
- 0.000005 A
- 子类别
- Flash Memories
- 最大压摆率
- 0.045 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- INDUSTRIAL
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 切换位
- YES
- 类型
- NOR TYPE
- 宽度
- 8 mm
- Base Number Matches
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