AM29DL164DT120VRI - AMD
- 型号：
- AM29DL164DT120VRI
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- AMD [ AMD ]
- 文档大小：
- 57页 / 1258K
- 产品描述：
- 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- SPANSION INC
- 零件包装代码
- BGA
- 包装说明
- TFBGA,
- 针数
- 48
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A001.A.2.C
- HTS代码
- 8542.32.00.51
- 风险等级
- 5.23
- Is Samacsys
- N
- 最长访问时间
- 120 ns
- 其他特性
- 20 YEAR DATA RETENTION
- 备用内存宽度
- 8
- 启动块
- TOP
- 数据保留时间-最小值
- 20
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B48
- JESD-609代码
- e1
- 长度
- 9 mm
- 内存密度
- 16777216 bit
- 内存集成电路类型
- FLASH
- 内存宽度
- 16
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 48
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 组织
- 1MX16
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 编程电压
- 3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 最大供电电压 (Vsup)
- 3.6 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 3 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 40
- 类型
- NOR TYPE
- 宽度
- 8 mm
- Base Number Matches
- 1
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AM29DL164DT120WCF
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
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