生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.60 | 风险等级: | 5.7 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | MIXER DIODE |
频带: | S BAND | 最大阻抗: | 2000 Ω |
最小阻抗: | 1000 Ω | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 脉冲输入最大功率: | 0.1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Diodes |
表面贴装: | NO | 最小正切信号灵敏度: | -48 dBm |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 肖特基势垒类型: | LOW BARRIER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ADN3001-19 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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ADN3001-23 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon, |
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ADN3001-44 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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ADN3001-51 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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ADN3001-800 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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ADN3001-860 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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