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WS512K8-35C

更新时间： 2024-01-27 21:18:40

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WEDC		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
6页	156K
描述
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

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技术参数
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WS512K8-35C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	42.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.13 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

WS512K8-35C 数据手册

WS512K8-XCX

White Electronic Designs

512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078

FEATURES

ꢀ

Access Times 20, 25, 35, 45ns

ꢀ

Organized as 512K x 8

5V Power Supply

Standard Microcircuit Drawing, 5962-92078

MIL-STD-883 Compliant Devices Available

Rad Tolerant Devices Available

Low Power CMOS

TTL Compatible Inputs and Outputs

Battery Back-Up Operation

JEDEC Standard 32 pin, Hermetic Ceramic DIP

(Package 300)

ꢀ

Commercial, Industrial and Military Temperature

Range

(-55°C to +125°C)

FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION

TOP VIEW

PIN DESCRIPTION

A0-18 Address Inputs

I/O 0-7 Data Input/Output

CS#

OE#

Chip Select

Output Enable

A18

A16

A14

A12

32 VCC

31 A15

30 A17

29 WE#

28 A13

27 A8

WE# Write Enable

V_CC+5.0V Power

GND Ground

26 A9

25 A11

24 OE#

23 A10

22 CS#

21 I/O7

20 I/O6

19 I/O5

18 I/O4

17 I/O3

BLOCK DIAGRAM

A0-16

I/O0-7

WE#

OE#

A2 10

A1 11

A0 12

I/O0 13

I/O1 14

I/O2 15

GND 16

128K x 8

A17

A18

Decoder

CS#

May 2004

Rev. 4

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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