是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DFP, | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.62 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | BATTERY BACKUP | JESD-30 代码: | R-CDFP-F36 |
长度: | 23.37 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.72 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12.95 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WMS512K8-35FIA | MICROSEMI | Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |
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WMS512K8-35FIA | WEDC | Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC,DFP-36 |
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WMS512K8-35FIA | MERCURY | Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |
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WMS512K8-35FM | WEDC | 512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 |
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WMS512K8-35FM | MICROSEMI | Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |
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WMS512K8-35FMA | MICROSEMI | Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |
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