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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | WRITE ENDURANCE 10000 CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-CDSO-J32 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.96 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 11.23 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| WME128K8-200DECA | WEDC | 128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796 |
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| WME128K8-200DECE | WEDC | EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-3 |
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| WME128K8-200DECEA | WEDC | EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-3 |
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| WME128K8-200DEI | WEDC | 128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796 |
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| WME128K8-200DEIA | WEDC | 128Kx8 CMOS MONOLITHIC EEPROM, SMD 5962-96796 |
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| WME128K8-200DEIE | WEDC | EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-3 |
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