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WG12018R

更新时间: 2024-01-26 12:04:47
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4页 328K
描述
THYRISTOR|GTO|TO-200VAR74W

WG12018R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1200A标称电路换相断开时间:80 µs
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:2000 mA
最大直流栅极触发电压:0.9 VJESD-30 代码:O-CEDB-N2
通态非重复峰值电流:10500 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:670000 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1340 A断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SYMMETRICAL GTO SCR
Base Number Matches:1

WG12018R 数据手册

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