是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 512K X 8 | 备用内存宽度: | 16 |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 27.3 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 66 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX32 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA66,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.6 mm |
部门规模: | 16K | 最大待机电流: | 0.0065 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 27.3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
WF128K32N-50H1I5A | WEDC | Flash Module, 128KX32, 50ns, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
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WF128K32N-60G2LC5 | MICROSEMI | Flash Module, CQFP68, 22.4 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WF128K32N-60G2LC5 | WEDC | Flash Module, 128KX32, 60ns, CQFP68, 22.4 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WF128K32N-60G2LC5A | MICROSEMI | Flash Module, CQFP68, 22.4 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WF128K32N-60G2LC5A | WEDC | Flash Module, 128KX32, 60ns, CQFP68, 22.4 MM, CERAMIC, QFP-68 |
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WF128K32N-60G2LC5A | MERCURY | Flash Module, |
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