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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIMM, | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.75 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 | 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX64 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| W3EG6467S262D4M | MICROSEMI | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200 |
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| W3EG6467S262D4MG | MICROSEMI | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 |
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| W3EG6467S262D4S | MICROSEMI | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200 |
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| W3EG6467S262D4SG | MICROSEMI | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 |
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| W3EG6467S265D4 | WEDC | 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED |
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| W3EG6467S265D4M | MICROSEMI | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200 |
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