Datasheet > W3EG64128S263D3

W3EG64128S263D3

更新时间： 2024-02-27 20:40:05

品牌	Logo	应用领域
WEDC		内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
12页	233K
描述
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W3EG64128S263D3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIMM,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	8589934592 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W3EG64128S263D3 数据手册

W3EG64128S-D3

-JD3

White Electronic Designs

ADVANCED*

1GB – 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-data-rate architecture

The W3EG64128S is a 2x64Mx64 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

component. The module consists of sixteen 64Mx8 DDR

SDRAMs in 66 pin TSOP packages mounted on a 184

pin FR4 substrate.

ꢀ

Clock speeds of 100MHz, 133MHz, 166MHz and

200MHz

ꢀ

DDR200, DDR266, DDR333 and DDR400

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input.

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change or cancellation without notice.

Serial presence detect

NOTE: Consult factory for availability of:

• RoHS compliant products

Dual Rank

• Vendor source control options

• Industrial temperature option

Power supply:

• V_CC= V_CCQ= +2.5V 0.2V (100, 133 and 166 MHz)

• V_CC= V_CCQ= +2.6V 0.1V (200 MHz)

JEDEC standard 184 pin DIMM package

• JD3 PCB height: 30.48 (1.20") MAX

ꢀ

OPERATING FREQUENCIES

DDR400 @ CL=3

200MHz

DDR333 @ CL=2.5

166MHz

DDR266 @ CL=2

133MHz

DDR266 @ CL=2

133MHz

DDR266 @ CL=2.5

133MHz

DDR200 @ CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

3-3-3

2.5-3-3

2-2-2

2-3-3

2.5-3-3

2-2-2

May 2005

Rev. 5

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...12

下载PDF

与W3EG64128S263D3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
W3EG64128S263D3G	WEDC	DRAM,	获取价格
W3EG64128S263D3M	MICROSEMI	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	获取价格
W3EG64128S263D3MG	MICROSEMI	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184	获取价格
W3EG64128S263D3S	MICROSEMI	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	获取价格
W3EG64128S263D3SG	MICROSEMI	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184	获取价格
W3EG64128S263JD3	WEDC	1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED	获取价格

与W3EG64128S263D3相关文章

STM32F030C6芯片介绍：主要参数分析、引脚配置说明、功耗及封装
2024-05-11

10
PCF8591数据手册解读：参数、引脚说明
2024-05-11

16
一文带你了解ss8050参数、引脚配置、应用指南
2024-05-11

7
深入解析AD7606高性能多通道模数转换器：资料手册参数分析
2024-05-10

9

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W3EG64128S263D3

W3EG64128S263D3 技术参数

W3EG64128S263D3 数据手册

与W3EG64128S263D3相关器件

与W3EG64128S263D3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W3EG64128S263D3

W3EG64128S263D3 技术参数

W3EG64128S263D3 数据手册

与W3EG64128S263D3相关器件

与W3EG64128S263D3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？