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UPA863TD

更新时间： 2024-02-20 10:37:23

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CEL		晶体晶体管射频光电二极管
页数	文件大小	规格书
27页	726K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

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技术参数
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UPA863TD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA863TD 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

μPA863TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Low voltage operation

2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5800)

Q1: Built-in high gain transistor

f^T= 12.0 GHz TYP., ⏐S^21e⏐²= 9.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation

f^T= 4.5 GHz TYP., ⏐S^21e⏐²= 4.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

6-pin lead-less minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5436

2SC5800

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

μPA863TD-A

μPA863TD-T3-A

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Document No. P15686EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 2001 NS CP(K)

12 3 4 5 6 7...27

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与UPA863TD相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPA863TD-A	CEL	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	获取价格
UPA863TD-FB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS	获取价格
UPA863TD-FB-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS	获取价格
UPA863TD-T3	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	获取价格
UPA863TD-T3	RENESAS	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
UPA863TD-T3-A	CEL	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	获取价格