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TIP32C

更新时间： 2024-02-13 05:55:09

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1页	59K
描述
Complementary Silicon Power Ttransistors

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技术参数
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TIP32C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

TIP32C 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

Complementary Silicon Power Ttransistors

TIP31C / TIP32C

DESCRIPTION

It is intented for use in power

amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

( Ta = 25 C)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Value Unit

Symbol

V_CBO

100

V_CEO

V_EBO

I_C

100

3.0

1.0

Base Current

I_B

Total Dissipation at

P_tot

T_j

^oC

150

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

TO-220

T_stg

-55~150 ^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 ^OC)

Parameter

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Symbol

Test Conditions

V_CB=100V, I_E=0

Min.

Typ.

Max. Unit

I_CEO

0.3

1.0

I_EBO

V_CEO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_EB=5V, I_C=0

Collector-Emitter Sustaining Voltage

DC Current Gain

I_C=30mA, I_B=0

V_CE=4V, I_C=1.0A

V_CE=4V, I_C=3.0A

I_C=3A,I_B=300mA

V_CE=4V,I_C=3.0A

100

1.2

1.8

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

V_CE=10V,I_C=500mA

MHz

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