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TIP2955

更新时间： 2024-01-04 05:09:25

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描述
Complementary Silicon High Power Ttransistors

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TIP2955 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz
Base Number Matches：	1

TIP2955 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

Complementary Silicon High Power Ttransistors

TIP3055 / TIP2955

DESCRIPTION

The TIP3055 is a silicon Epitaxial-Base Planar NPN transistor mountend in

TO-247 plastic package. It is intented for power switching circuits, series

and shunt regulators, output stages and hi-fi amplifiers.

The complementary PNP type is the TIP2955.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

( Ta = 25 C)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Value Unit

Symbol

V_CBO

100

V_CEO

V_EBO

I_C

7.0

Base Current

I_B

Total Dissipation at

P_tot

T_j

150

^oC

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

TO-247

T_stg

-55~150 ^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

( Ta = 25 C)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min.

—

Typ.

—

Max. Unit

Collector Cut-off Current

I_CEO

I_EBO

V_CB=50V, I_E=0

V_EB=7.0V, I_C=0

0.7

5.0

Emitter Cut-off Current

—

Collector-Emitter Sustaining Voltage

V_CEOI_C=30mA, I_B=0

—

h_FE(1)V_CE=4.0V, I_C=4.0A

—

DC Current Gain

V_CE=4.0V, I_C=10A

h_FE(2)

I_C=4.0A,I_B=0.4A

1.0

3.0

1.8

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

I_C=10A,I_B=3.3A

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

V_BE

f_T

V_CE=4.0V,I_C=4.0A

V_CE=10V,I_C=0.5A

MHz

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