STZ6.8N

更新时间： 2024-01-22 11:06:16

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罗姆 - ROHM		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
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Zener diode

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STZ6.8N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	6.8 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	4.92%	工作测试电流：	5 mA

STZ6.8N 数据手册

STZ6.8N

Diodes

Zener diode

STZ6.8N

!External dimensions (Units : mm)

!Applications

Constant voltage control

Noise suppression on signal line

2.9±0.2

1.9±0.2

+0.2

−0.1

1.1

0.95 0.95

0.8±0.1

6 C

0∼0.1

!Features

1) Small surface mounting type. (SMD3)

2) Multiple diodes with common anode configuration.

3) High reliability.

+0.1

−0.06

+0.1

−0.05

0.15

0.4

(All leads have the same dimensions)

ROHM : SMD3

EIAJ : SC-59

JEDEC : SOT-346

!Construction

Silicon epitaxial planar

!Circuit

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

200

Unit

˚C

∗

Power dissipation

150

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−55∼+150

˚C

∗

Total of 2 elements.

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

6.47

−

Typ.

Max.

7.14

0.5

Unit

Conditions

Zener voltage

−

µA

Ω

=5mA

=3.5V

Reverse current

Operating resistance

Rising operating resistance

−

=5mA

−

Ω

=0.5mA

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