Datasheet > 暂无类别数据> STPS20120C

STPS20120C

更新时间： 2024-02-04 05:17:52

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
6页	74K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STPS20120C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	11 weeks	风险等级：	1.69
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.58 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STPS20120C 数据手册

STPS20120C

POWER SCHOTTKY RECTIFIER

Table 1: Main Product Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

2 x 10 A

120 V

T_j(max)

V_F(typ)

175°C

0.54 V

FEATURES AND BENEFITS

■

High junction temperature capability

Avalanche rated

Low leakage current

Good trade-off between leakage current and

forward voltage drop

TO-220AB

STPS20120CT

I²PAK

STPS20120CR

DESCRIPTION

Dual center tap Schottky rectifier suited for high

frequency Switch Mode Power Supply.

Packaged in TO-220AB & I²PAK, this device is

intended to be used in notebook & LCD adaptors,

desktop SMPS, providing in these applications a

margin between the remaining voltages applied on

the diode and the voltage capability of the diode.

Table 2: Order Codes

Part Number

Marking

STPS20120CT

STPS20120CR

STPS20120CT

STPS20120CR

Table 3: Absolute Ratings (limiting values, per diode)

Symbol

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Value

120

Unit

V_RRM

I_F(RMS)

RMS forward voltage

δ = 0.5

T_c= 150°C

Per diode

Per device

I_F(AV)

Average forward current

I_FSM

P_ARM

T_stg

T_j

t_p= 10ms sinusoidal

Surge non repetitive forward current

Repetitive peak avalanche power

Storage temperature range

Maximum operating junction temperature *

150

4600

t_p= 1µs Tj = 25°C

°C

-65 to + 175

175

dPtot

* : --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink

dTj

Rth(j – a)

February 2005

REV. 1

1/6

12 3 4 5 6

下载PDF

与STPS20120C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STPS20120C_07	STMICROELECTRONICS	Power Schottky rectifier	获取价格
STPS20120CB-TR	STMICROELECTRONICS	暂无描述	获取价格
STPS20120CFP	STMICROELECTRONICS	Power Schottky rectifier	获取价格
STPS20120CR	STMICROELECTRONICS	POWER SCHOTTKY RECTIFIER	获取价格
STPS20120CT	STMICROELECTRONICS	POWER SCHOTTKY RECTIFIER	获取价格
STPS20120CTN	STMICROELECTRONICS	Power Schottky Rectifier	获取价格