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SSU2N60

更新时间: 2024-01-08 08:34:54
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三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

SSU2N60 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:IPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
雪崩能效等级(Eas):120 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1.8 A
最大漏极电流 (ID):1.8 A最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSU2N60 数据手册

  

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