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SMBJP6KE100

更新时间： 2024-02-18 13:45:12
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4页 332K
描述
Transient Voltage Suppressor

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SMBJP6KE100 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.61
最大击穿电压：105 V最小击穿电压：95 V
击穿电压标称值：100 V最大钳位电压：137 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.38 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85.5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20Base Number Matches：1

SMBJP6KE100 数据手册

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SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE440CA  
Transient Voltage Suppressor  
Breakdown Voltage 6.8 to 440 Volts  
Peak Pulse Power  
600 Watts  
Features  
Breakdown Voltages (VBR) from 6.8 to 440V  
600W peak pulse power capability with a 10/1000μs  
waveform, repetitive rate (duty cycle):0.01%  
Fast Response Time  
CASE: SMB (DO214AA)  
Low incremental surge resistance  
Excellent clamping capability  
Available in uni-directional and bi-direconal  
High temperature soldering garanteed/10  
seconds, 0.375” (9.5mm) lead length5ls. g)  
tension  
Application  
Use in sensitive eletronics protectioagainst voltage  
transiens induced by inductive load witching and  
lighting oIC, MOSFE, signal lines of sensor units for  
consumercomputer, industrial, automotive and  
telecommuicatn  
MechanicaData  
Case: Voi-free transfer molded thermosetting epoxy  
body meeting UL94V-O  
Terminals: Tin-Lead or ROHS Compliant annealed  
matte-Tin plating readily solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Marking: Body marked with part number  
Polarity: Cathode indicated by band. No marking on bi-  
directional devices  
Dimenons in inches nd (millimeters)  
Weight: 0.093g（Approximately）  
Maximum Ratings ad Electrical Characteristics @ 25OC unless otherwise specified  
Conditions  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
W
PPPM  
eak pulse power capability with a 10/1000μs  
Peak pulse current with a 10/1000μs  
IPPM  
SEE TABLE1  
5.0  
A
Steady state power dissipation at TL=25℃ ,Lead lengths 0.375”(10mm)  
W
PM(AV)  
Steady state power dissipation at TA=25℃ when mounted on FR4 PC  
described for thermal resistance  
1.38  
W
IFSM  
VF  
Peak forward surge current,8.3ms single half sine-wave unidirectional only⑴  
Maximum instantaneous forward voltage at 30A for unidirectional only  
Thermal resistance junction to lead  
100  
3.5/5.0  
25  
A
V
RθJL  
℃/W  
℃/W  
℃
RθJA  
Thermal resistance junction to ambient  
90  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-65 to +150  
Notes:  
⑴ Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum  
⑵ VF=3.5Vfor P4KE220(A) and below; VF=5.0V for P4KE250(A) and above  
Document Number: SMBP6KE6.8 thru SMBJP6KE440CA  
Feb.29, 2012  
www.smsemi.com  
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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