SBT5551

更新时间： 2024-02-20 20:09:26

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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5页	256K
描述
NPN Silicon Transistor

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SBT5551 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

SBT5551 数据手册

SBT5551

NPN Silicon Transistor

PIN Connection

Descriptions

• General purpose amplifier

• High voltage application

Features

• high collector breakdown voltage : V_CBO= 180V,

V_CEO= 160V

• Low collector saturation voltage : V_CE(sat)=0.5V(MAX.)

• Complementary pair with SBT5401

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SOT-23

FNF □

SBT5551

①

②

①Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

180

160

600

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

KSD-T5C066-000

12 3 4 5

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