SBT5401

更新时间： 2024-02-07 05:26:17

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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描述
PNP Silicon Transistor

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SBT5401 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

SBT5401 数据手册

SBT5401

PNP Silicon Transistor

Description

PIN Connection

• General purpose amplifier

• High voltage application

Features

• High collector breakdown voltage :

V_CBO= -160V, V_CEO= -160V

• Low collector saturation voltage :

_CE(sat)=-0.5V(MAX.)

SOT-23

• Complementary pair with SBT5551

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

NFN □

① ②

SBT5401

SOT-23

①Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

Ratings

-160

-5

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-600

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

KSD-T5C079-000

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