SBT3904

更新时间： 2024-01-15 17:15:09

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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4页	230K
描述
NPN Silicon Transistor

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SBT3904 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

SBT3904 数据手册

SBT3904

NPN Silicon Transistor

Descriptions

• General small signal application

• Switching application

PIN Connection

Features

• Low collector saturation voltage

• Collector output capacitance

• Complementary pair with SBT3906

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

1A □

SBT3904

SOT-23

①

②

①Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

200

°C

Collector dissipation

P_C

350

Junction temperature

Storage temperature range

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

* : Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.6mm

Electrical Characteristics

Ta=25°C

Characteristic

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CEX

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=10μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10μA, I_C=0

V_CE=30V, V_EB=3V

V_CE=1V, I_C=10mA

I_C=50mA, I_B=5mA

300

0.3

DC current gain

h_FE

100

Collector-Emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_CE=20V, I_C=10mA,

f=100MHz

Transition frequency

f_T

300

MHz

Collector output capacitance

Delay time

C_ob

t_d

t_r

V_CB=5V, I_E=0, f=1MHz

200

V_CC=3V_dc, V_BE(off)=0.5V_dc.

I_C=10mA_dc, I_B1=1mA_dc

Rise time

Storage time

Fall Time

t_s

V_CC=3V_dc,I_C=10mA_dc,

I_B1=I_B2=1mA_dc

t_f

KSD-T5C013-000

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