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SBL3050PT PDF预览

SBL3050PT

更新时间： 2024-01-23 15:16:22
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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SBL3050PT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBL3050PT 数据手册

 浏览型号SBL3050PT的Datasheet PDF文件第2页 
SBL3050PT thru SBL3060PT  
Low VF Schottky Barrier Rectifiers  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
Dimensions TO-247AD  
A
C
A
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
A
C
A
C(TAB)  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
J
K
1.0  
1.4 0.040 0.055  
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
SBL3050PT  
SBL3060PT  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=90oC  
30  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
275  
A
V
Maximum Forward Voltage At 15.0A DC  
0.70  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
1
75  
IR  
mA  
@TJ=100oC  
CJ  
ROJC  
TJ  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
700  
pF  
oC/W  
oC  
2.0  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-247AD molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.2 ounces, 5.6 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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