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SBL3045PT

更新时间： 2024-01-30 23:05:29

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SIRECTIFIER		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	124K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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SBL3045PT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	275 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	1000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SBL3045PT 数据手册

SBL3030PT thru SBL3045PT

Low VF Schottky Barrier Rectifiers

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dimensions TO-247AD

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

C(TAB)

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

4.32 5.49 0.170 0.216

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

5.4

6.2 0.212 0.244

VRRM

VRMS

VDC

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

SBL3030PT

SBL3035PT

SBL3040PT

SBL3045PT

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

24.5

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

31.5

1.5 2.49 0.087 0.102

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

IFSM

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=90^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

275

Maximum Forward Voltage At 15.0A DC

0.55

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

@TJ=100^oC

ROJC

Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

700

^oC/W

^oC

2.0

-55 to +125

-55 to +150

TSTG

Storage Temperature Range

^oC

NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

2. Thermal Resistance Junction To Case.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: TO-247AD molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.2 ounces, 5.6 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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与SBL3045PT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SBL3045PT-B	DIODES	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon,	获取价格
SBL3045S	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SBL3045SAB	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SBL3045SABR	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SBL3045SHF	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SBL3045SZ	JSMC	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格