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SBL2060CT PDF预览

SBL2060CT

更新时间： 2024-01-04 05:32:19
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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SBL2060CT 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.51
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBL2060CT 数据手册

 浏览型号SBL2060CT的Datasheet PDF文件第2页 
SBL2050CT thru SBL2060CT  
Low VF Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
SBL2050CT  
SBL2060CT  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=95oC  
20  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
250  
A
V
Maximum Forward Voltage At 10.0A DC (Note 1)  
0.75  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
1
50  
IR  
mA  
@TJ=100oC  
CJ  
ROJC  
TJ  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
600  
pF  
oC/W  
oC  
2.0  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.  
2. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
3. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SBL2060CT{TUBE} DIODES Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon

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SBL2060CTP DIODES 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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