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SBG1030L

更新时间： 2024-02-09 18:34:12

品牌	Logo	应用领域
SIRECTIFIER		二极管瞄准线功效
页数	文件大小	规格书
2页	236K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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SBG1030L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.36 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

SBG1030L 数据手册

SBG1025L thru SBG1030L

Low VF Schottky Barrier Rectifiers

Dimensions TO-263(D²PAK)

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

Min.

Max.

C(TAB)

4.06

2.03

4.83

2.79

.160

.080

.190

.110

0.51

1.14

0.99

1.40

.020

.045

.039

.055

0.46

1.14

0.74

1.40

.018

.045

.029

.055

8.64

8.00

9.65

8.89

.340

.315

.380

.350

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

9.65

6.22

2.54 BSC

10.29

8.13

.380

.245

.100 BSC

.405

.320

14.61

2.29

1.02

1.27

15.88

2.79

1.40

1.78

0.20

.575

.090

.040

.050

.625

.110

.055

.070

.008

VRRM

VRMS

VDC

1. Gate

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

Botton Side

SBG1025L

SBG1030L

17.5

0.46

0.74

.018

.029

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=95^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

IFSM

250

IF=10A @TJ=25^oC

Maximum Forward

0.45

0.35

IF=10A @TJ=125^oC

Voltage (Note 1)

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

5.0

500

@TJ=100^oC

ROJC

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

350

^oC/W

^oC

2.0

-55 to +125

-55 to +150

TSTG

^oC

NOTES: 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.

2. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

3. Thermal Resistance Junction To Case.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: D²PAK molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.06 ounces, 1.7 grams

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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与SBG1030L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SBG1030L-F	DIODES	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SBG1030L-T	DIODES	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SBG1030L-T-F	DIODES	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SBG1035	SIRECTIFIER	肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Lo	获取价格
SBG1035CT	DIODES	10A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SBG1035CT-T	DIODES	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3	获取价格

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