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S524AD0XD1

更新时间： 2024-02-14 07:24:49
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三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 126K
描述
128K/256K-bit Serial EEPROM for Low Power

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S524AD0XD1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.4 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：I2C
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

S524AD0XD1 数据手册

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S524AD0XD1/D0XF1  
128K/256K-bit  
Serial EEPROM  
for Low Power  
Data Sheet  
OVERVIEW  
The S524AD0XD1/D0XF1 serial EEPROM has a 128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) capacity, supporting the  
standard I2C™-bus serial interface. It is fabricated using Samsung’s most advanced CMOS technology. It has  
been developed for low power and low voltage applications (1.8 V to 5.5 V). One of its major feature is a  
hardware-based write protection circuit for the entire memory area. Hardware-based write protection is controlled  
by the state of the write-protect (WP) pin. Using one-page write mode, you can load up to 64 bytes of data into  
the EEPROM in a single write operation. Another significant feature of the S524AD0XD1/D0XF1 is its support for  
fast mode and standard mode.  
FEATURES  
I2C-Bus Interface  
Operating Characteristics  
·
·
Two-wire serial interface  
·
Operating voltage  
— 1.8 V to 5.5 V  
Automatic word address increment  
EEPROM  
·
Operating current  
— Maximum write current: < 3 mA at 5.5 V  
— Maximum read current: < 400 mA at 5.5 V  
— Maximum stand-by current: < 1 mA at 5.5 V  
·
128K/256K-bit (16,384/32,768 bytes) storage  
area  
·
·
64-byte page buffer  
Typical 3 ms write cycle time with  
auto-erase function  
·
·
·
Operating temperature range  
·
·
Hardware-based write protection for the entire  
EEPROM (using the WP pin)  
— – 25°C to + 70°C (commercial)  
— – 40°C to + 85°C (industrial)  
EEPROM programming voltage generated  
on chip  
Operating clock frequencies  
— 400 kHz at standard mode  
— 1 MHz at fast mode  
·
·
500,000 erase/write cycles  
50 years data retention  
Electrostatic discharge (ESD)  
— 5,000 V (HBM)  
— 500 V (MM)  
Packages  
8-pin DIP, and TSSOP  
·
8-1  
1234567...16

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