RD16HHF1 - Mitsubishi Group
- 型号：
- RD16HHF1
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 8页 / 277K
- 产品描述：
- Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Active
- IHS 制造商
- MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- 风险等级
- 5.72
- 外壳连接
- SOURCE
- 配置
- SINGLE
- 最小漏源击穿电压
- 50 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 5 A
- 最大漏极电流 (ID)
- 5 A
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高频带
- HIGH FREQUENCY BAND
- JESD-30 代码
- R-PSFM-T3
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 3
- 工作模式
- ENHANCEMENT MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- FLANGE MOUNT
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大功率耗散 (Abs)
- 57 W
- 认证状态
- Not Qualified
- 子类别
- FET General Purpose Power
- 表面贴装
- NO
- 端子形式
- THROUGH-HOLE
- 端子位置
- SINGLE
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 晶体管应用
- AMPLIFIER
- 晶体管元件材料
- SILICON
- Base Number Matches
- 1
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