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MUR1660CT PDF预览

MUR1660CT

更新时间： 2024-01-26 23:57:27
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 179K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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MUR1660CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.25其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MUR1660CT 数据手册

 浏览型号MUR1660CT的Datasheet PDF文件第2页 
MUR1660CT  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
VRMS  
VDC  
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
V
V
V
MUR1660CT  
Symbol  
600  
420  
600  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=100oC  
16  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
125  
1.5  
Maximum Forward Voltage At 8.0A DC  
V
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
5
500  
IR  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
80  
50  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
ROJC  
1.5  
TJ,TSTG Operating And Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
3. Thermal Resistance Junction To Case.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  
12

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