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MMBT2222A

更新时间： 2024-01-04 06:40:51

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管开关光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
5页	283K
描述
NPN Silicon Transistor

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MMBT2222A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2222A 数据手册

MMBT2222A

NPN Silicon Transistor

Descriptions

• General purpose application

• Switching application

PIN Connection

Features

• Low Leakage current

• Low collector saturation voltage enabling low voltage

operation

• Complementary pair with MMBT2907A

SOT-23

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

1P □

① ②

MMBT2222A

SOT-23

①Device Code ②Year& Week Code

Absolute maximum ratings

Ta=25°C

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

0.6

A(DC)

A(Pulse)

°C

Collector current

I_CP*

1.2

Collector dissipation

350

P_C

Junction temperature

Storage temperature range

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

** : Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.6mm

KSD-T5C095-000

12 3 4 5

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与MMBT2222A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT2222A/D87Z	TI	1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
MMBT2222A/E9	VISHAY	Transistor,	获取价格
MMBT2222A_05	PANJIT	NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222A_08	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222A_1	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT2222A_10	MCC	NPN General Purpose Amplifier	获取价格