MB82D01171A-85L - FUJITSU
- 型号：
- MB82D01171A-85L
- 品牌Logo:
-
- 品牌名称：
- FUJITSU [ FUJITSU ]
- 应用标签：
- 手机
- 文档大小：
- 27页 / 249K
- 产品描述：
- 16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
- 参数详情
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- 包装说明
- TFBGA, BGA48,6X8,32
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A991.B.2.A
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.92
- 最长访问时间
- 85 ns
- 其他特性
- ALSO OPERATES AT 2.7V TO 3.1V SUPPLY
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- R-PBGA-B48
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 9 mm
- 内存密度
- 16777216 bit
- 内存集成电路类型
- STANDARD SRAM
- 内存宽度
- 16
- 功能数量
- 1
- 端子数量
- 48
- 字数
- 1048576 words
- 字数代码
- 1000000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 85 °C
- 最低工作温度
- -30 °C
- 组织
- 1MX16
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- TFBGA
- 封装等效代码
- BGA48,6X8,32
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 2.5/3.3 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 座面最大高度
- 1.2 mm
- 最大待机电流
- 0.0002 A
- 子类别
- Other Memory ICs
- 最大压摆率
- 0.025 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 2.7 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 2.3 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 2.5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- OTHER
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- BALL
- 端子节距
- 0.8 mm
- 端子位置
- BOTTOM
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 6 mm
- Base Number Matches
- 1
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