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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSC2335FO | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335F-O | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC2335FR | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335F-R | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335FRTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC2335F-Y | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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