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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.75 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS63LV1024-10KI | ISSI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
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| IS63LV1024-10KI-TR | ISSI | SRAM |
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| IS63LV1024-10K-TR | ISSI | SRAM |
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| IS63LV1024-10T | ISSI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
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| IS63LV1024-10T | ICSI | Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, |
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| IS63LV1024-10TI | ICSI | Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, |
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