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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4BC30KD-S
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IRG4BC30KD-S

更新时间： 2024-02-05 11:21:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 226K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

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IRG4BC30KD-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：23 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：100 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：300 ns
标称接通时间 (ton)：41 nsBase Number Matches：1

IRG4BC30KD-S 数据手册

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PD -91594C  
IRG4BC30KD-S  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VCES = 600V  
V
GE = 15V  
V
CE(on) typ. = 2.21V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
G
• tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
@VGE = 15V, IC = 16A  
E
n-channel  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power  
density motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance  
with IGBTs. Minimized recovery characteristic  
reduce noise, EMI and switching losses  
• This part replaces the IRGBC30KD2-S and  
IRGBC30MD2-S products  
• For hints see design tip 97003  
D 2 Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
I
28  
IC @ TC = 100°C  
16  
ICM  
58  
A
ILM  
58  
IF @ TC = 100°C  
12  
IFM  
58  
10  
tsc  
µs  
V
VGE  
± 20  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
100  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
42  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
2.5  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.5  
–––  
1.44  
–––  
40  
°C/W  
g
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)ꢀ  
Weight  
–––  
www.irf.com  
1
4/24/2000  
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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