是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | LEAD FREE, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.08 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 5.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120 | VISHAY | Power MOSFET |
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IRFR91209A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA |
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IRFR9120N | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
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IRFR9120N | FREESCALE | HEXFET® Power MOSFET |
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IRFR9120NPBF | KERSEMI | HEXFET POWER MOSFET |
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IRFR9120NPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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