5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR1205
IRFR1205 PDF预览

IRFR1205

更新时间： 2024-02-21 15:57:33
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE /
页数 文件大小 规格书
10页 315K
描述
HEXFET® Power MOSFET

阅读下载

获取价格

IRFR1205 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：107 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR1205 数据手册

 浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR1205的Datasheet PDF文件第7页 
IRFR/U1205  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRFR1205)  
l Straight Lead (IRFU1205)  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.027Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ID = 44Aꢀ  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The D-PAK is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-PAK  
T O -252AA  
I-PAK  
TO -251AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ‡  
44ꢀ  
31ꢀ  
160  
107  
0.71  
± 20  
210  
25  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚‡  
Avalanche Current‡  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.freescale.net.cn  
1 / 10  
1234567...10

下载PDF

与IRFR1205相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFR1205PBF INFINEON HEXFET Power MOSFET

获取价格
IRFR1205PBF KERSEMI ULTRA LOW ON-RESISTANCE

获取价格
IRFR1205TR INFINEON Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRFR1205TRL INFINEON Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRFR1205TRPBF INFINEON Ultra Low On-Resistance

获取价格
IRFR1205TRR KERSEMI Ultra Low On-Resistance

获取价格

与IRFR1205相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证