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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF821-009 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF821FI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| IRF821R | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB |
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| IRF822 | SAMSUNG | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF822 | STMICROELECTRONICS | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
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| IRF822 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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