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IRF640

更新时间： 2024-02-11 00:06:42

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

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IRF640 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	125 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF640 数据手册

IRF640

IRF640FP

N - CHANNEL 200V - 0.150Ω - 18A TO-220/TO-220FP

MESH OVERLAY MOSFET

TYPE

IRF640

IRF640FP

V_DSS

R_DS(on)

I_D

200 V

< 0.18 Ω

18 A

< 0.18

Ω

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.150

Ω

EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he

company’s consolidated strip layout-based MESH

OVERLAY process. This technology matches

and improves the performances compared with

standardparts from various sources.

TO-220

TO-220FP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT SWITCHING

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,

INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

IRF640

IRF640FP

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 k

Gate-source Voltage

200

)

Ω

± 20

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

125

1.0

18(**)

11(**)

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

I_DM(• ) Drain Current (pulsed)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

Derating Factor

0.32

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt( ) Peak Diode Recovery voltage slope

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

2000

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

( 1) I_SD≤ 18A, di/dt ≤ 300 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Tj ≤ T_JMAX

First Digit of the Datecode Being Z or K IdentifiesSilicon Characterized in this Datasheet

(**) Limited only by Maximum Temperature Allowed

1/9

October 1999

12 3 4 5 6 7...9

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