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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF3202SPBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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|
| IRF320-323 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V |
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|
| IRF3205 | TYSEMI | Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating |
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|
| IRF3205 | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=11 |
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| IRF3205 | KERSEMI | Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
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| IRF3205L | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=11 |
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