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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 225 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 135 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF151CHIP | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP |
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| IRF151R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-204AE |
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| IRF152 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V |
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| IRF152 | SAMSUNG | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF152 | IXYS | HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
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| IRF152 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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