IDT71V321S35J
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IDT71V321S35J - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
型号:
IDT71V321S35J
品牌Logo:
品牌名称:
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
应用标签:
存储内存集成电路静态存储器
文档大小:
14页 / 130K
产品描述:
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
  • 参数详情
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
Reach Compliance Code
not_compliant
风险等级
5.57
最长访问时间
35 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQFP-G64
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
端口数量
2
端子数量
64
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QFP
封装等效代码
QFP64,.47SQ,20
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.005 A
最小待机电流
3 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
Base Number Matches
1

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