IDT7016S35PF - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- IDT7016S35PF
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 20页 / 262K
- 产品描述：
- HIGH-SPEED 16K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
- 参数详情
- 是否无铅
- 不含铅
- 是否Rohs认证
- 符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- 零件包装代码
- QFP
- 包装说明
- LQFP, QFP80,.64SQ
- 针数
- 80
- Reach Compliance Code
- compliant
- ECCN代码
- 3A001.A.2.C
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.61
- 最长访问时间
- 35 ns
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- S-PQFP-G80
- JESD-609代码
- e3
- 长度
- 14 mm
- 内存密度
- 147456 bit
- 内存集成电路类型
- DUAL-PORT SRAM
- 内存宽度
- 9
- 湿度敏感等级
- 3
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 2
- 端子数量
- 80
- 字数
- 16384 words
- 字数代码
- 16000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 组织
- 16KX9
- 输出特性
- 3-STATE
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装代码
- LQFP
- 封装等效代码
- QFP80,.64SQ
- 封装形状
- SQUARE
- 封装形式
- FLATPACK, LOW PROFILE
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- 260
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 筛选级别
- MIL-PRF-38535
- 座面最大高度
- 1.6 mm
- 最大待机电流
- 0.03 A
- 最小待机电流
- 4.5 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.3 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- Matte Tin (Sn) - annealed
- 端子形式
- GULL WING
- 端子节距
- 0.65 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- 30
- 宽度
- 14 mm
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