IDT7006L55J - INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
- 型号：
- IDT7006L55J
- 品牌Logo:
-
- 应用标签：
- 文档大小：
- 20页 / 262K
- 产品描述：
- HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
- 参数详情
- 是否无铅
- 含铅
- 是否Rohs认证
- 不符合
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- 零件包装代码
- LCC
- 包装说明
- FINE PITCH, LCC-68
- 针数
- 68
- Reach Compliance Code
- not_compliant
- ECCN代码
- 3A001.A.2.C
- HTS代码
- 8542.32.00.41
- 风险等级
- 5.66
- 最长访问时间
- 55 ns
- 其他特性
- INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE
- I/O 类型
- COMMON
- JESD-30 代码
- S-CQCC-N68
- JESD-609代码
- e0
- 长度
- 14.224 mm
- 内存密度
- 131072 bit
- 内存集成电路类型
- MULTI-PORT SRAM
- 内存宽度
- 8
- 功能数量
- 1
- 端口数量
- 2
- 端子数量
- 68
- 字数
- 16384 words
- 字数代码
- 16000
- 工作模式
- ASYNCHRONOUS
- 最高工作温度
- 125 °C
- 最低工作温度
- -55 °C
- 组织
- 16KX8
- 输出特性
- 3-STATE
- 可输出
- YES
- 封装主体材料
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- 封装代码
- QCCN
- 封装等效代码
- LCC68,.56SQ,25
- 封装形状
- SQUARE
- 封装形式
- CHIP CARRIER
- 并行/串行
- PARALLEL
- 峰值回流温度（摄氏度）
- NOT SPECIFIED
- 电源
- 5 V
- 认证状态
- Not Qualified
- 筛选级别
- 38535Q/M;38534H;883B
- 座面最大高度
- 3.048 mm
- 最大待机电流
- 0.004 A
- 最小待机电流
- 2 V
- 子类别
- SRAMs
- 最大压摆率
- 0.335 mA
- 最大供电电压 (Vsup)
- 5.5 V
- 最小供电电压 (Vsup)
- 4.5 V
- 标称供电电压 (Vsup)
- 5 V
- 表面贴装
- YES
- 技术
- CMOS
- 温度等级
- MILITARY
- 端子面层
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子形式
- NO LEAD
- 端子节距
- 0.635 mm
- 端子位置
- QUAD
- 处于峰值回流温度下的最长时间
- NOT SPECIFIED
- 宽度
- 14.224 mm
- Base Number Matches
- 1
相关文档
-
20页
IDT7006L55J8
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
一键下载
-
20页
-
20页
IDT7006L55JG
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, PLCC-68
一键下载