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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.14 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 54 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns | 标称接通时间 (ton)： | 33 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HGT1S12N60A4DS_NL | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE |
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| HGT1S12N60A4DS9A | INTERSIL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB |
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| HGT1S12N60A4DST | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB |
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| HGT1S12N60A4S | INTERSIL | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
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| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs |
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| HGT1S12N60B3DS | FAIRCHILD | 27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
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