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EL302

更新时间： 2024-01-27 10:37:49

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可天士 - KODENSHI		半导体光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	192K
描述
Infrared Emitting Diodes(GaAs)

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EL302 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最大正向电流：	0.05 A	最大正向电压：	1.6 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	940 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAs	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

EL302 数据手册

Infrared Emitting Diodes(GaAs)

K O D E N S H I

E L3 0 2

DIMENSIONS

(Unit : mm)

The EL302 a high- power GaAs IRED mounted in a

clear sidelooking package, is compact, low profile, and

easy to mount.

FEATURES

• C o m p a c t

• Low profile package

• L o w - c o s t

• Sidelooking plastic package

APPLICATIONS

• P h o t o i n t e r r u p t e r s

• Optical switches

• T o y s

EL302

MAXIMUM RATINGS

( T a = ℃2)5

I t e m

S y m b o Rl a t i n g U n i t

Reverse voltage

Forward current

Pulse forward current ^*

Power dissipation

Operating temp.

Storage temp.

m A

5 0

0 . 5

7 5

m W

℃

T o p r .

T s t g .

T s o l .

2 5 ~ + 8 5

3 0 ~ + 1 0 0

2 4 0

℃

Soldering temp.

℃

*1. pulse width tw 100 μsec.period T = 1 0 m s e c .

*2. For MAX.5 seconds at the position of 2 mm from the package

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS

( T a = ℃2 )5

I t e m

Forward voltage

Reverse current

C a p a c i t a n c e

Radiant intensity

Peak emission wavelength

Spectral bandwidth 50%

Half angle

S y m b o l

C t

C o n d i t i o n s

M i n . T y p .

M a x .

U n i t .

I = 5 0 m A

1 . 6

1 0

μA

p F

m W / s r

n m

V = 5 V

f = 1 M H z

I = 5 0 m A

2 5

0 . 7

9 4 0

5 0

λ p

Δ λ

n m

d e g .

± 3 0

- 1-

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