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BZW03C270

更新时间： 2024-01-06 11:42:03

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TEMIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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BZW03C270 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.79
最小击穿电压：	380 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.85 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BZW03C270 数据手册

BZW03C...

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

Voltage regulators and transient suppression circuits

94 9588

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

l=10mm, T =25 C

6.0

1.85

Power dissipation

=45 C

amb

Repetitive peak reverse power

dissipation

ZRM

Non repetitive peak surge power

dissipation

t =100 s, T =25 C

ZSM

1000

Junction temperature

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

K/W

l=25mm, T =constant

thJA

Junction ambient

on PC board with spacing 37.5mm

thJA

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =1A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.2

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A1, 12-Dec-94

12 3 4 5

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