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BZW03C240

更新时间： 2024-02-15 00:59:04

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TEMIC		测试二极管
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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技术参数
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BZW03C240 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOD	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.79	最小击穿电压：	336 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.85 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BZW03C240 数据手册

BZW03C...

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

Voltage regulators and transient suppression circuits

94 9588

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

l=10mm, T =25 C

6.0

1.85

Power dissipation

=45 C

amb

Repetitive peak reverse power

dissipation

ZRM

Non repetitive peak surge power

dissipation

t =100 s, T =25 C

ZSM

1000

Junction temperature

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

K/W

l=25mm, T =constant

thJA

Junction ambient

on PC board with spacing 37.5mm

thJA

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =1A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.2

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A1, 12-Dec-94

12 3 4 5

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