BZG04-12

更新时间： 2024-01-19 11:29:53

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管齐纳二极管
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描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZG04-12 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	13.8 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BZG04-12 数据手册

BZG04-Series

Vishay Semiconductors

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• High reliability

• Stand-off Voltage range 8.2 V to 220 V

• Excellent clamping cabability

• Fast response time (typ. ≤ 1 ps from 0 to V

• Lead (Pb)-free component

)

Zmin

15811

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Applications

Protection from high voltage, high energy transients

Mechanical Data

Case: DO-214AC

Weight: approx. 77 mg

Packaging Codes/Options:

TR / 1.5 k 7 " reel

TR3 / 6 k 13 " reel 6 k/box

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Power dissipation

Test condition

Symbol

P_diss

Value

Unit

R_thJA< 25 K/W, T_amb= 100 °C

_thJA< 100 K/W, T_amb= 50 °C

P_diss

1.25

300

Non repetitive peak surge power t_p= 10/1000 µs sq.pulse,

P_ZSM

dissipation

T_j= 25 °C prior to surge

Peak forward surge current

Junction temperature

10 ms single half sine wave

I_FSM

T_j

150

°C

Storage temperature range

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJL

Value

Unit

Junction lead

K/W

Junction ambient

mounted on epoxy-glass hard

tissue, Fig. 1a

R_thJA

150

125

100

mounted on epoxy-glass hard

tissue, Fig. 1b

K/W

mounted on Al-oxid-ceramic

(Al₂O₃), Fig. 1b

Electrical Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

I_F= 0.5 A

Symbol

V_F

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Forward voltage

Document Number 85594

Rev. 2.2, 15-Sep-05

www.vishay.com

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与BZG04-12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZG04-12/T3	NXP	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Su	获取价格
BZG04-12/TR	VISHAY	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Trans	获取价格
BZG04-12/TR3	VISHAY	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Trans	获取价格
BZG04120	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214, PLASTIC,	获取价格
BZG04-120	LGE	Transient Voltage Suppressor	获取价格
BZG04-120	PHILIPS	Trans Voltage Suppressor Diode, 120V V(RWM), Unidirectional,	获取价格