Datasheet > BYV26B

BYV26B

更新时间： 2024-01-02 06:34:13

品牌	Logo	应用领域
台芯 - TAYCHIPST		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	3614K
描述
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BYV26B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.2 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	1 A
最大重复峰值反向电压：	1400 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Base Number Matches：	1

BYV26B 数据手册

BYV26 series

Fast soft-recovery

200V-1400V 0.65A-1.05

controlled avalanche rectiﬁers

FEATURES

• Glass passivated

• High maximum operating

• Low leakage current

temperature

• Excellent stability

3.81

max

• Guaranteed avalanche energy

• Available in ammo-pack.

absorption capability

SOD57

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

LIMITING VALUES

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

repetitive peak reverse voltage

BYV26A

−

200

BYV26B

400

600

BYV26C

V_RRM

BYV26D

800

BYV26E

1000

1200

1400

BYV26F

BYV26G

average forward current

BYV26A to E

T = 85 °C; lead length = 10 mm;

I_F(AV)

I_FRM

see Figs 2 and 3;

−

1.00

1.05

averaged over any 20 ms period;

与BYV26B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BYV26BAMO	NXP	DIODE 0.65 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode	获取价格
BYV26BGP	GULFSEMI	SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI	获取价格
BYV26BGP	TAYCHIPST	SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER	获取价格
BYV26BT/R	NXP	DIODE 0.65 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	获取价格
BYV26B-TAP	VISHAY	Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo	获取价格
BYV26B-TR	VISHAY	Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R	获取价格