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BYG20J

更新时间： 2024-02-09 00:16:17

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Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

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BYG20J 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	应用：	FAST SOFT RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.4 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值正向电流：	20 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	1 µA	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BYG20J 数据手册

BYG21K THRU BYG21M

800V-1000V

1.5A

Fast Silicon Mesa SMD Rectifier

FEATURES

Glass passivated junction

Low reverse current

Soft recovery characteristics

Fast reverse recovery time

Good switching characteristics

Wave and reflow solderable

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

BYG21K

BYG21M V =V

Symbol

Value

800

1000

Unit

V =V

RRM

Peak forward surge current

t =10ms,

FSM

half sinewave

Average forward current

1.5

FAV

Junction and storage

temperature range

T =T

–55...+150

stg

Pulse energy in avalanche mode,

non repetitive

=1A, T =25 C

(BR)R

(inductive load switch off)

Maximum Thermal Resistance

Parameter

Junction lead

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue

Test Conditions

Symbol Value

Unit

K/W

T =const.

thJL

thJA

150

125

100

mounted on epoxy–glass hard tissue, 50mm 35 m Cu

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), 50mm 35 m Cu

Electrical Characteristics

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =1A

1.5

1.6

I =1.5A

Reverse current

V =V

RRM

, T =100 C

Reverse recovery time I =0.5A, I =1A, i =0.25A

120

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

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