BU208A

更新时间： 2024-02-27 10:04:53

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS

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BU208A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	700 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7 MHz	Base Number Matches：	1

BU208A 数据手册

BU208A

BU508A/BU508AFI

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTORS

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE

(U.L. FILE # E81734 (N)

TO-3

■

JEDEC TO-3 METAL CASE.

APPLICATIONS:

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR

DESCRIPTION

The BU208A, BU508A and BU508AFI are

manufactured

using

Multiepitaxial

Mesa

technology for cost-effective high performance

and use a Hollow Emitter structure to enhance

switching speeds.

TO-218

ISOWATT218

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

For TO-3 :

C = Tab

E = Pin2.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1500

700

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

TO - 3

TO - 218 ISOWATT218

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

150

125

-65 to 150

150

^oC

Storage Temperature

-65 to 175 -65 to 150

175 150

Max. Operating Junction Temperature

1/8

November 1999

12 3 4 5 6 7 8

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