BSP124 - PHILIPS SEMICONDUCTORS
- 型号：
- BSP124
- 品牌Logo:
-
- 文档大小：
- 6页 / 162K
- 产品描述：
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
- 参数详情
- 生命周期
- Obsolete
- IHS 制造商
- NXP SEMICONDUCTORS
- 包装说明
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Reach Compliance Code
- unknown
- ECCN代码
- EAR99
- HTS代码
- 8541.29.00.75
- 风险等级
- 5.76
- 外壳连接
- DRAIN
- 配置
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 最小漏源击穿电压
- 250 V
- 最大漏极电流 (ID)
- 0.25 A
- 最大漏源导通电阻
- 12 Ω
- FET 技术
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大反馈电容 (Crss)
- 15 pF
- JESD-30 代码
- R-PDSO-G4
- 元件数量
- 1
- 端子数量
- 4
- 工作模式
- DEPLETION MODE
- 最高工作温度
- 150 °C
- 封装主体材料
- PLASTIC/EPOXY
- 封装形状
- RECTANGULAR
- 封装形式
- SMALL OUTLINE
- 极性/信道类型
- N-CHANNEL
- 最大脉冲漏极电流 (IDM)
- 1.2 A
- 认证状态
- Not Qualified
- 表面贴装
- YES
- 端子形式
- GULL WING
- 端子位置
- DUAL
- 晶体管应用
- SWITCHING
- 晶体管元件材料
- SILICON
- 最大关闭时间（toff）
- 30 ns
- 最大开启时间（吨）
- 10 ns
- Base Number Matches
- 1
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